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SI7884DP-T1中文资料

SI7884DP-T1图片

SI7884DP-T1外观图

  • 大小：62.8KB
  • 厂家：Vishay
  • 描述：
  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：40 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：12 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：7 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：PowerPAK SO-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：10 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.9 W
  • 上升时间：10 ns
  • 工厂包装数量：3000
  • 商标名：TrenchFET/PowerPAK
  • 典型关闭延迟时间：50 ns

SI7884DP-T1供应商

更新时间:2023-01-01 06:23:28
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SN74LV05APWRSC4524CSETRTSTD13NM60NSN74LS06NSRSTPS20H100CG-TRSN74LVC32APWSN75C3221DBRSP1485EENSLB9635TT12SMAJ45CA

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